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Des chercheurs empilent les transistors pour contourner les limites

Des chercheurs de l'université de l'Illinois ont démontré l'empilage vertical de transistors en silicium avec un taux de réussite de 98 à 100 %. Leur méthode utilise des membranes ultra-fines transférées à 200 degrés, permettant une précision nanométrique et des connexions plus denses que les puces 3D actuelles. Les transistors empilés égalent les performances des transistors classiques et surpassent les alternatives d'un facteur trois à quatre. L'équipe envisage d'augmenter le nombre de couches et discute avec des fonderies pour une production future.